Ekteki dosyada genişletilmiş metaller ve ızgaralar için standart ölçüleri ve ağırlık tablolarını bulabilirsiniz.
genişletilmiş metal yandaki linke tıklayarak dosyaya ulaşabilirsiniz.

 Ts'ai Lun günümüzden yaklaşık 2000 yıl önce Çin'de yaşayan bir memurdu ve MS 105 yılında bugünkü kullanılan hali ile kağıdı icat etti. Dutağacı kabuğu, kenevir ve kumaş paçavralarını suyla karıştırarak ezdi, lapa haline getirdi, presleyerek suyunu çıkardı ve bu ince tabakayı kuruması için güneşin altında ipe astı.

 Aslında insanlar MÖ 3500 yıllarında bile üzerine yazı yazabilecek çeşitli şeyler kullanıyorlardı. Kağıdın icadı sonraki devirlerde Çinlileri dünyanın en gelişmiş kültürünün sahibi yaptı. Şaşırtıcıdır ki, Orta Asya'ya 751, Bağdat'a ise 793 yılında ulaşan Ts'ai Lun'un kağıt yapma metodu, Avrupa'ya 1000 yılda gelemedi. Avrupa'da ilk kağıt ancak 1151 yılında İspanya'da yapılabildi.
 Özellikle matbaanın icadı ile birlikte kağıda olan ihtiyaç gittikçe büyüdü. Yeterli hammadde bulmakta zorlanıldı. Ayrıca bu şekilde kağıt imalatı çok zaman alıyordu ve dünyanın bir çözüme ihtiyacı vardı.

 Kesin tarih bilinmiyor ama yaklaşık 18. yüzyılın başlarında Fransız bilimci Rene-Antonie Ferchault de Reaumur ormanda ağaçların arasında yürürken bir yaban arısı kovanı gördü. Yaban arıları evlerinde olmadığından durup kovanı incelemeye başladı. Birden kovanın kağıttan yapılmış olduğunu gördü. Peki onlar paçavra kullanmadan kovanı nasıl yapıyorlardı? Sadece paçavra değil, kimyasallar, ateş ve karıştırma tanklarını da kullanmıyorlardı. Arılar insanların bilmediği neyi biliyorlardı ?

 Aslında her şey çok basitti. Kısa bir gözlem sonucunda gördü ki, yaban arıları ince dalları veya çürümüş kütükleri kemirir gibi ağızlarına alıyorlar, burada mide sıvıları ve salyaları ile karıştırıyorlar ve kovanlarını yapmada kullanıyorlardı. Reaumur arıların sindirim sistemini de inceleyerek buluşunu 1719 yılında Fransız Kraliyet Akademisi'ne sundu.

 İlk kağıt makinesi 1798 yılında yapıldı. Ancak bu geniş bir kayışın dönerek fıçıdaki lapayı aldığı ve ince kağıt haline getirdiği, her dönüşte tek bir kağıt yapabilen basit bir makine idi. Silindirli makine çok geçmeden 1809 yılında John Dickinson tarafından icat edildi.

 Günümüzde kağıt üretimi yüksek teknoloji ile ve tam otomatik olarak yapılabilmektedir ama işlemin aslı esas olarak değişmemiştir. Kağıtların arasındaki kalite farkını kullanılan lifin türü, lapanın hazırlanışı, içine katılan malzemeler, kimyasal veya mekanik metotlar belirler. Her ne kadar liflerin elde edilmesinde ağaçlar ana kaynak ise de özellik taşıyan kağıtların yapılmasında günümüzde sentetik lifler de kullanılmaktadır.

Alıntıdır.

 İtalyan Mucit Guglielmo Marconi radyoyu icat eden kişi olarak kayıtlara geçmiştir. Ancak radyonun kendi icadı olduğunu iddia eden birçok kişi ortaya çıkmıştır. Telsiz telegrafpatentine sahip olan Nikolai Tesla, Olive Lodge bu iddiayı ortaya atanların başında gelir. Rus mucit Alexander Stepanovitch Popov ise anlaşılabilen ilk radyo dalgalarını iletmeyi başarmış ancak bu icadı için patent almamıştır. Daha pek çok insan vardır fakat ticari başarıyı yakalayan kişinin Marconi olduğu herkesçe kabul edilir.

Popov, Lodge ve Marconi, Edward Branly'nin bulduğu Branly Tüpü adı verilen ve radyo dalgalarını saptamak için kullanılan bir aracı geliştirmeye çalışıyorlardı. 1890 yılında başlayan bu geliştirme çabaları1895 yılında Marconi ve Popov'un birbirlerinden habersiz bir şekilde geliştirmeleri ile sonlanacaktı. 1896 yılında ise ilk defa Popov tarafından "Heinrich Hertz" ismi Mors alfabesi kullanılarak anlaşılır bir şekilde iletildi.

Güneş pilleri ya da fotovoltaik piller, yüzeylerine gelen güneş ışığını doğrudan elektrik enerjisine dönüştüren yarıiletken maddeler. Yüzeyleri kare, dikdörtgen, daire şeklinde biçimlendirilen güneş pillerinin alanları genellikle 100 cm² civarında, kalınlıkları ise 0,2-0,4 mm arasında oluyor.



Fotovoltaik etki silisyum gibi yarıiletken maddelerin içinde oluşur. Fotopil denen fotovoltaik hücreler, bir P-N denklemi, yani iki katmanlı bir yarıiletken bölge içerir. Bunların birindeki (“delik” diye de adlandırılan ve + elektrik yüküyle sonuçlanan) elektron azlığı ve diğerindeki (- yük sağlayan) fazlalığı, bu bölgenin her iki tarafında bir elektrik alanının oluşmasına yol açar. Yarıiletken tarafından emilen ışık akısının fotonları, yarıiletken parçanın iki tarafında ayrı ayrı toplanan elektron-delik çiftlerini oluşturur. Bunun sonucunda, eklemin aydınlanan yüzüyle ve buraya düşen ışığın yoğunluğuyla orantılı bir elektrik akımı meydana gelir. Açık, güneşli bir havada 1 desimetre çapında bir fotopil, yaklaşık olarak 1 watt üretir. Verimi (çıkış gücünün gelen ışık gücüne oranı) kullanılan malzemeye göre değişir.

Fotopiller genellikle çok kristalli ya da amorf (biçimsiz) silisyumdan yapılır. Çok kristalli silisyum yüksek güvenilirliğinden ve yüksek veriminden dolayı (yüzde 10-14) ilgi çekiyor. Buna karşılık amorf silisyumun verimi daha düşük (yüzde 7). Bununla birlikte, daha ince katmanlar halinde kullanılabildiğinden daha az masraşı. Fotopiller, 1950'lerde uyduların elektrik elde etmesi için geliştirilmişti. Günümüzdeyse elektrik elde etmek için bir alternatif enerji kaynağı olarak düşünülüyor.

Günümüz elektronik ürünlerinde kullanılan transistörler, doğrultucu diyotlar gibi güneş pilleri de, yarıiletken maddelerden yapılıyor. Yarıiletken özellik gösteren birçok madde arasında güneş pili yapmak için en elverişli olanlar, silisyum, galyum arsenit, kadmiyum tellür gibi maddeler. Yarı iletken maddelerin güneş pili olarak kullanılabilmeleri için N ya da P tipi katkılanmaları gerekli. Katkılama, saf yarıiletken eriyik içerisine istenilen katkı maddelerinin kontrollü olarak eklenmesiyle yapılır. Elde edilen yarıiletkenin N ya da P tipi olması katkı maddesine bağlı. En yaygın güneş pili maddesi olarak kullanılan silisyumdan N tipi silisyum elde etmek için, silisyum eriyiğine periyodik cetvelin 5. grubundan bir element, örneğin fosfor eklenir. Silisyumun dış yörüngesinde 4, fosforun dış yörüngesinde 5 elektron olduğu için, fosforun fazla olan tek elektronu kristal yapıya bir elektron verir. Bu nedenle 5. grup elementlerine "verici" ya da "N tipi" katkı maddesi denir.

P tipi silisyum elde etmek içinse, eriyiğe 3. gruptan bir element (alüminyum, indiyum, bor gibi) eklenir. Bu elementlerin son yörüngesinde 3 elektron olduğu için kristalde bir elektron eksikliği oluşur, bu elektron yokluğuna boşluk ya da delik denir ve pozitif yük taşıdığı varsayılır. Bu tür maddelere de "P tipi" ya da "alıcı" katkı maddeleri denir.

P ya da N tipi ana malzemenin içerisine gerekli katkı maddelerinin katılmasıyla yarıiletken eklemler oluşturulur. N tipi yarıiletkende elektronlar, P tipi yarıiletkende delikler çoğunluk taşıyıcısıdır. P ve N tipi yarıiletkenler bir araya gelmeden önce, her iki madde de elektriksel bakımdan nötrdür. Yani P tipinde negatif enerji seviyeleri ile delik sayıları eşit, N tipinde pozitif enerji seviyeleri ile elektron sayıları eşittir. PN eklem oluştuğunda, N tipindeki çoğunluk taşıyıcısı olan elektronlar, P tipine doğru akım oluştururlar. Bu olay her iki tarafta da yük dengesi oluşana kadar devam eder. PN tipi maddenin ara yüzeyinde, yani eklem bölgesinde, P bölgesi tarafında negatif, N bölgesi tarafında pozitif yük birikir. Bu eklem bölgesine "geçiş bölgesi" ya da "yükten arındırılmış bölge" denir. Bu bölgede oluşan elektrik alan "yapısal elektrik alan" olarak adlandırılır. Yarı iletken eklemin güneş pili olarak çalışması için eklem bölgesinde fotovoltaik dönüşümün sağlanması gerekir. Bu dönüşüm iki aşamada olur, ilk olarak, eklem bölgesine ışık düşürülerek elektron-delik çiftleri oluşturulur, ikinci olarak ise, bunlar bölgedeki elektrik alan yardımıyla birbirlerinden ayrılır.

Yarı iletkenler, bir yasak enerji aralığı tarafından ayrılan iki enerji bandından oluşur. Bu bandlar valans bandı ve iletkenlik bandı adını alırlar. Bu yasak enerji aralığına eşit veya daha büyük enerjili bir foton, yarıiletken tarafından soğurulduğu zaman, enerjisini valans banddaki bir elektrona vererek, elektronun iletkenlik bandına çıkmasını sağlar. Böylece, elektron-delik çifti oluşur. Bu olay, PN eklem güneş pilinin ara yüzeyinde meydana gelmişse elektron-delik çiftleri buradaki elektrik alan tarafından birbirlerinden ayrılır. Bu şekilde güneş pili, elektronları N bölgesine, delikleri de P bölgesine iten bir pompa gibi çalışır. Birbirlerinden ayrılan elektron-delik çiftleri, güneş pilinin uçlarında yararlı bir güç çıkışı oluştururlar. Bu süreç yeniden bir fotonun pil yüzeyine çarpmasıyla aynı şekilde devam eder. Yarıiletkenin iç kısımlarında da, gelen fotonlar tarafından elektron-delik çiftleri oluşturulur. Fakat gerekli elektrik alan olmadığı için tekrar birleşerek kaybolurlar.

Güneş enerjisi, güneşin çekirdeğinde yer alan füzyon süreciyle açığa çıkan ışıma enerjisi, Güneşteki hidrojen gazının helyuma dönüşmesi şeklindeki füzyon sürecinden kaynaklanır. Dünya atmosferinin dışında güneş enerjisinin şiddeti, aşağı yukarı sabit ve 1370 W/m² değerindedir, ancak yeryüzünde 0-1100 W/m² değerleri arasında değişim gösterir. Bu enerjinin dünyaya gelen küçük bir bölümü dahi, insanlığın mevcut enerji tüketiminden kat kat fazla. Güneş enerjisinden yararlanma konusundaki çalışmalar özellikle 1970'lerden sonra hız kazandı. Güneş enerjisi sistemleri teknolojik olarak ilerleme ve maliyet bakımından düşme gösterdi; çevresel olarak temiz bir enerji kaynağı olarak kendini kabul ettirdi.

 [youtube https://www.youtube.com/watch?v=1gta2ICarDw&w=640&h=360]

P-n Yonga

Özetle, serbest yük taşıyıcısı olarak; n-tipi yarıiletkende fosfor atomlarının fazlalık elektronları, p-tipi yarıiletkendeyse bor atomlarının elektron eksiğinden kaynaklanan delikler vardır ve bu elektronlarla delikler bir araya gelebilseler, birleşip birbirlerinin elektrik yüklerini gidereceklerdir. Her iki tip yarıiletken de, olağan koşullar altında, ayrı ayrı yüksüzdür. Fakat, bu iki tip yarıiletken temasa getirildiğinde; n-tipindeki elektronlardan sınıra yakın olanlar, sınırın hemen öte tarafındaki deliklerin çekimine kapılır ve bazıları hızla sınırı geçip onlarla birleşmeye başlar. Sınırın n-tarafında elektron eksikliği, yani artı yük; p-tarafında ise elektron fazlalığı, yani eksi yük birikmektedir. Bu birikim, şekilde görüldüğü gibi, artı yükten eksi yüke, yani n-tarafından p-tarafına doğru bir elektrik alanının oluşmasına yol açar. Bu elektrik alanı, sadece sınır çizgisinin yakın komşuluğunu kapsar ve sınırdan uzak dış bölgelere ulaşamaz. Elektronlar sınırı geçtikçe alanın şiddeti artmakta, arkadan gelen elektronların geçişi giderek zorlaşmaktadır. Çünkü, elektronlar için elektrik alanı yönünde hareket etmek, yerçekimi kuvvetiyle bir benzetme yapılacak olursa, yokuş yukarı tırmanmak gibidir. Sonuç olarak, sınırın öte tarafına belli bir miktar elektron geçtikten ve sınır civarındaki elektrik alanı belli bir şiddete eriştikten sonra, elektron geçişi durur.

Gerçi n-bölgesindeki serbest elektronların hepsi değil, sadece küçük bir orana karşılık gelen bazıları, p-bölgesindeki deliklerden bazılarıyla birleşmişlerdir. Ama her iki bölgenin de yüksüzlüğü bozulmuş ve artık yeni bir denge oluşmuştur. Bu denge çerçevesinde; sistemin n-tarafının sınıra komşu bölgesi artı, p-tarafınınsa, keza sınıra komşu bölgesi eksi yüklüdür. Sınırı köprüleyen elektrik alanı bir diyot oluşturur ve ortaya çıkabilecek yeni serbest elektronlara, p'den n'ye geçmeleri yönünde kuvvet uygularken, tersi yöndeki geçişlere izin vermez. Öte yandan bu elektrik alanı, iki yarıiletken arasında bir gerilimin var olduğu anlamına gelir. Eğer bu gerilim üzerinden yük akıtılabilecek olursa, yani akım geçirilebilirse; akım şiddeti çarpı gerilim (VxI) kadar güç üretilmiş olacaktır. Sözkonusu akım, güneş ışınlarının yol açtığı serbest elektronlardan oluşacaktır.