Güneş pilleri ya da fotovoltaik piller, yüzeylerine gelen güneş ışığını doğrudan elektrik enerjisine dönüştüren yarıiletken maddeler. Yüzeyleri kare, dikdörtgen, daire şeklinde biçimlendirilen güneş pillerinin alanları genellikle 100 cm² civarında, kalınlıkları ise 0,2-0,4 mm arasında oluyor.



Fotovoltaik etki silisyum gibi yarıiletken maddelerin içinde oluşur. Fotopil denen fotovoltaik hücreler, bir P-N denklemi, yani iki katmanlı bir yarıiletken bölge içerir. Bunların birindeki (“delik” diye de adlandırılan ve + elektrik yüküyle sonuçlanan) elektron azlığı ve diğerindeki (- yük sağlayan) fazlalığı, bu bölgenin her iki tarafında bir elektrik alanının oluşmasına yol açar. Yarıiletken tarafından emilen ışık akısının fotonları, yarıiletken parçanın iki tarafında ayrı ayrı toplanan elektron-delik çiftlerini oluşturur. Bunun sonucunda, eklemin aydınlanan yüzüyle ve buraya düşen ışığın yoğunluğuyla orantılı bir elektrik akımı meydana gelir. Açık, güneşli bir havada 1 desimetre çapında bir fotopil, yaklaşık olarak 1 watt üretir. Verimi (çıkış gücünün gelen ışık gücüne oranı) kullanılan malzemeye göre değişir.

Fotopiller genellikle çok kristalli ya da amorf (biçimsiz) silisyumdan yapılır. Çok kristalli silisyum yüksek güvenilirliğinden ve yüksek veriminden dolayı (yüzde 10-14) ilgi çekiyor. Buna karşılık amorf silisyumun verimi daha düşük (yüzde 7). Bununla birlikte, daha ince katmanlar halinde kullanılabildiğinden daha az masraşı. Fotopiller, 1950'lerde uyduların elektrik elde etmesi için geliştirilmişti. Günümüzdeyse elektrik elde etmek için bir alternatif enerji kaynağı olarak düşünülüyor.

Günümüz elektronik ürünlerinde kullanılan transistörler, doğrultucu diyotlar gibi güneş pilleri de, yarıiletken maddelerden yapılıyor. Yarıiletken özellik gösteren birçok madde arasında güneş pili yapmak için en elverişli olanlar, silisyum, galyum arsenit, kadmiyum tellür gibi maddeler. Yarı iletken maddelerin güneş pili olarak kullanılabilmeleri için N ya da P tipi katkılanmaları gerekli. Katkılama, saf yarıiletken eriyik içerisine istenilen katkı maddelerinin kontrollü olarak eklenmesiyle yapılır. Elde edilen yarıiletkenin N ya da P tipi olması katkı maddesine bağlı. En yaygın güneş pili maddesi olarak kullanılan silisyumdan N tipi silisyum elde etmek için, silisyum eriyiğine periyodik cetvelin 5. grubundan bir element, örneğin fosfor eklenir. Silisyumun dış yörüngesinde 4, fosforun dış yörüngesinde 5 elektron olduğu için, fosforun fazla olan tek elektronu kristal yapıya bir elektron verir. Bu nedenle 5. grup elementlerine "verici" ya da "N tipi" katkı maddesi denir.

P tipi silisyum elde etmek içinse, eriyiğe 3. gruptan bir element (alüminyum, indiyum, bor gibi) eklenir. Bu elementlerin son yörüngesinde 3 elektron olduğu için kristalde bir elektron eksikliği oluşur, bu elektron yokluğuna boşluk ya da delik denir ve pozitif yük taşıdığı varsayılır. Bu tür maddelere de "P tipi" ya da "alıcı" katkı maddeleri denir.

P ya da N tipi ana malzemenin içerisine gerekli katkı maddelerinin katılmasıyla yarıiletken eklemler oluşturulur. N tipi yarıiletkende elektronlar, P tipi yarıiletkende delikler çoğunluk taşıyıcısıdır. P ve N tipi yarıiletkenler bir araya gelmeden önce, her iki madde de elektriksel bakımdan nötrdür. Yani P tipinde negatif enerji seviyeleri ile delik sayıları eşit, N tipinde pozitif enerji seviyeleri ile elektron sayıları eşittir. PN eklem oluştuğunda, N tipindeki çoğunluk taşıyıcısı olan elektronlar, P tipine doğru akım oluştururlar. Bu olay her iki tarafta da yük dengesi oluşana kadar devam eder. PN tipi maddenin ara yüzeyinde, yani eklem bölgesinde, P bölgesi tarafında negatif, N bölgesi tarafında pozitif yük birikir. Bu eklem bölgesine "geçiş bölgesi" ya da "yükten arındırılmış bölge" denir. Bu bölgede oluşan elektrik alan "yapısal elektrik alan" olarak adlandırılır. Yarı iletken eklemin güneş pili olarak çalışması için eklem bölgesinde fotovoltaik dönüşümün sağlanması gerekir. Bu dönüşüm iki aşamada olur, ilk olarak, eklem bölgesine ışık düşürülerek elektron-delik çiftleri oluşturulur, ikinci olarak ise, bunlar bölgedeki elektrik alan yardımıyla birbirlerinden ayrılır.

Yarı iletkenler, bir yasak enerji aralığı tarafından ayrılan iki enerji bandından oluşur. Bu bandlar valans bandı ve iletkenlik bandı adını alırlar. Bu yasak enerji aralığına eşit veya daha büyük enerjili bir foton, yarıiletken tarafından soğurulduğu zaman, enerjisini valans banddaki bir elektrona vererek, elektronun iletkenlik bandına çıkmasını sağlar. Böylece, elektron-delik çifti oluşur. Bu olay, PN eklem güneş pilinin ara yüzeyinde meydana gelmişse elektron-delik çiftleri buradaki elektrik alan tarafından birbirlerinden ayrılır. Bu şekilde güneş pili, elektronları N bölgesine, delikleri de P bölgesine iten bir pompa gibi çalışır. Birbirlerinden ayrılan elektron-delik çiftleri, güneş pilinin uçlarında yararlı bir güç çıkışı oluştururlar. Bu süreç yeniden bir fotonun pil yüzeyine çarpmasıyla aynı şekilde devam eder. Yarıiletkenin iç kısımlarında da, gelen fotonlar tarafından elektron-delik çiftleri oluşturulur. Fakat gerekli elektrik alan olmadığı için tekrar birleşerek kaybolurlar.

Güneş enerjisi, güneşin çekirdeğinde yer alan füzyon süreciyle açığa çıkan ışıma enerjisi, Güneşteki hidrojen gazının helyuma dönüşmesi şeklindeki füzyon sürecinden kaynaklanır. Dünya atmosferinin dışında güneş enerjisinin şiddeti, aşağı yukarı sabit ve 1370 W/m² değerindedir, ancak yeryüzünde 0-1100 W/m² değerleri arasında değişim gösterir. Bu enerjinin dünyaya gelen küçük bir bölümü dahi, insanlığın mevcut enerji tüketiminden kat kat fazla. Güneş enerjisinden yararlanma konusundaki çalışmalar özellikle 1970'lerden sonra hız kazandı. Güneş enerjisi sistemleri teknolojik olarak ilerleme ve maliyet bakımından düşme gösterdi; çevresel olarak temiz bir enerji kaynağı olarak kendini kabul ettirdi.

 [youtube https://www.youtube.com/watch?v=1gta2ICarDw&w=640&h=360]

P-n Yonga

Özetle, serbest yük taşıyıcısı olarak; n-tipi yarıiletkende fosfor atomlarının fazlalık elektronları, p-tipi yarıiletkendeyse bor atomlarının elektron eksiğinden kaynaklanan delikler vardır ve bu elektronlarla delikler bir araya gelebilseler, birleşip birbirlerinin elektrik yüklerini gidereceklerdir. Her iki tip yarıiletken de, olağan koşullar altında, ayrı ayrı yüksüzdür. Fakat, bu iki tip yarıiletken temasa getirildiğinde; n-tipindeki elektronlardan sınıra yakın olanlar, sınırın hemen öte tarafındaki deliklerin çekimine kapılır ve bazıları hızla sınırı geçip onlarla birleşmeye başlar. Sınırın n-tarafında elektron eksikliği, yani artı yük; p-tarafında ise elektron fazlalığı, yani eksi yük birikmektedir. Bu birikim, şekilde görüldüğü gibi, artı yükten eksi yüke, yani n-tarafından p-tarafına doğru bir elektrik alanının oluşmasına yol açar. Bu elektrik alanı, sadece sınır çizgisinin yakın komşuluğunu kapsar ve sınırdan uzak dış bölgelere ulaşamaz. Elektronlar sınırı geçtikçe alanın şiddeti artmakta, arkadan gelen elektronların geçişi giderek zorlaşmaktadır. Çünkü, elektronlar için elektrik alanı yönünde hareket etmek, yerçekimi kuvvetiyle bir benzetme yapılacak olursa, yokuş yukarı tırmanmak gibidir. Sonuç olarak, sınırın öte tarafına belli bir miktar elektron geçtikten ve sınır civarındaki elektrik alanı belli bir şiddete eriştikten sonra, elektron geçişi durur.

Gerçi n-bölgesindeki serbest elektronların hepsi değil, sadece küçük bir orana karşılık gelen bazıları, p-bölgesindeki deliklerden bazılarıyla birleşmişlerdir. Ama her iki bölgenin de yüksüzlüğü bozulmuş ve artık yeni bir denge oluşmuştur. Bu denge çerçevesinde; sistemin n-tarafının sınıra komşu bölgesi artı, p-tarafınınsa, keza sınıra komşu bölgesi eksi yüklüdür. Sınırı köprüleyen elektrik alanı bir diyot oluşturur ve ortaya çıkabilecek yeni serbest elektronlara, p'den n'ye geçmeleri yönünde kuvvet uygularken, tersi yöndeki geçişlere izin vermez. Öte yandan bu elektrik alanı, iki yarıiletken arasında bir gerilimin var olduğu anlamına gelir. Eğer bu gerilim üzerinden yük akıtılabilecek olursa, yani akım geçirilebilirse; akım şiddeti çarpı gerilim (VxI) kadar güç üretilmiş olacaktır. Sözkonusu akım, güneş ışınlarının yol açtığı serbest elektronlardan oluşacaktır.

CEN:(Commite European de Normalizatıon,Avrupa Standardizasyon Komitesi)

1961 yılında 6 at VE 7 EFTA ülkesinin standardizasyon kuruluşları tarafından kurulmuştur.

CEN yapısında CEN üyeleri Bağlı Üye statüsündeki AT ve EFTA üyesi olmayan ülkelerin standart

teşkilatları, AT, ETFA, CENELEC, ETSI ve ortak üyeler(oy hakkı yok) CEN genel kurulunda temsil edilir .

Avrupa’ da standardizasyon çalışması, Avrupa Elektronik Standardizasyon Komitei (CENELEC) Avrupa

Telekominikasyon Standartları Enstitüsü (ETSI) ve CEN tarafından yürütülmektedir. Diğer iki kuruluşun

faaliyet alanına giren elektronik ve telekominikasyon sektörleri haricinde kalan alanlarda standardizasyon

çalışmaları CEN tarafından yürütülmektedir. Ayrıca CEN, CENELEC ve ETSI arasında imzalanan

anlaşma gereği bu üç kuruluş belli ortak konularda ortak çalışma yaparak standart hazırlayabilmektedir.

CENELEC: (European Committee for Electrotechnical,Avrupa Elektroteknik Standardizasyon Komitesi)

1973 yılında Belçika hukuku altında kar amacı güdülmeden kurulmuştur. CENELEC büyük bir sektör olan

elektronoloji alanına yönelik olarak Avrupa Standartları yayınlanarak Avrupa Ekonımik Alanında (EEA)

elektrik ve elektronik mamül ve hizmetlerin pazara giriş kriterlerini belirlemektedir. İmal edilmiş mamüllerin

%22’si elektronik olduğundan veya elektrik enerjisiyle çalıştığından ötürü bu sektör topluluk açısından

büyük önem taşımaktadır.

CENELEC standardının %58’i bir kelimesi dahi değiştirilmeden doğrudan Uluslararası Elektronik Komitesi

(IEC)’den alınmaktadır. Buradan anlaşılacağı üzere CENELEC Avrupa’da yerli imalatçı ve üreticiler kadar

Avrupa dışındaki tedarikçilere de açık olan bir elektronik pazarın oluşumuna yardım etmektedir.

ISO: ( International Organization For Standardization)

Bugün yeryüzünde yürürlükte olan Uluslararsı standartların %70’i Uluslararsı Standardizasyon Kuruluşu

ve Uluslararası Elektroteknik Komisyonu tarafından hazırlanmıştır . Diğre %30’luk kısmı ise başta

Uluslararsı Telekomunikasyon Birliği (ITU-International Telekomunication Union) olmak üzere 24

uluslararsı kuruluş tarafından hazırlanmıştır. ITU diğer 24 kuruluş içinde en aktif olanıdır. ISO, IEC ve ITU

bir çok alanda işbirliği yapmakta ve global standardizasyonunun zirve kuruluşlarını oluşturmaktadırlar.

ISO. 1947 yılında kurulmuş ve merkezi Cenevre’dedir. 134 ülkenin üyesi olduğu bu kuruluşun hazırlamış

olduğu uluslararsı standart sayısı 12.000’i geçmiş durumdadır.

IEC: (İnternational Electrotechnical Commission)

1906 yılında kurulmuş ve merkezi Cenevre’dedir. 61 ülkenin üyesi olduğu bu kuruluşa, TSE 1956’dan beri

üyedir. 5000’e yakın Uluslararası Standart hazırlamış olan bu kuruluş elektrik, elektronik ve ilgili

teknolojiler alanlarında görev yapmaktadır. Bazen konunun önemi, hazırlayan kuruluşun itibarı ve

uluslarası tanınmışlığı dolayısıyla bazı önemli milli veya bölgesel kuruluşların hazırlamış olduğu

standartlar da uluslararsı standartlar olarak kabul görmektedir. Bu tür bazı standartları geliştiren teşkilatlar

olarak şunları sayabiliriz: ASTM, IEEE, DIN, ASME, SAE NFPA gibi.

Pek çok elektronikçi arıza bulmada 'multimetre' kullanmaktadır. Multimetreler arıza bulmak için değil, gerilim, akım ve elektronik malzemelerin teker, teker değerlerini ölçmek için geliştirilmiştir. Fakat kart üzerindeki elektronik malzemeler birbiri ile etkileştiği için multimetre ile arıza tespit etmek zor ve yanıltıcı olabilir.



1- Osiloskop kullanmak:



Avantajı: Frekans değerleri ve belirli noktalardaki sinyallerin kontrol edilmesinde etkili olarak kullanılır. Belli kısımları çalışan kartlarda kolayca arıza bulanabilir.

Dezavantajları: Güç kaynağı arızası, güç devrelerinin hasar görmesi veya kısa devre gibi durumlarda karta besleme vermek sorunun daha da büyümesine ve daha fazla malzemenin hasar görmesine neden olabilir. Malzemenin değerini ölçmez.



2- Multimetre kullanmak:

Avantajı: Karta besleme verilmeden direnç, diyot ölçümü yapılabilir. Kısa devre ve açık devre ve besleme arızalarının bulunmasında etkilidir.

Dezavantajları: Direnç kademesinde karta uygulanan voltaj 0,5 Volttan daha küçüktür. Diyot ölçümünde 2V civarındadır. Bu nedenle pek çok noktada az hasarlı malzemeleri tespit etmek mümkün olmaz. Dokunulan noktadan tek bir değer ölçülmesi arızayı bulmayı zorlaştırır. Kart üzerindeki diğer malzemeler etkisiyle bazı malzemelerin değeri ölçülemez. Örneğin direnç ile kondansatör paralelse kondansatör değerini ölçmez veya yanlış değer ölçer.



3- Akım-Gerilim (VI) Test cihazı kullanmak:

Avantajları: Karta besleme vermeden, dokunulan noktaya sinüs olarak bir sinyal uygular ve akım-gerilim grafiğini çıkarır. Dokunulan noktanın en azından –5V + 5V ve daha yüksek voltajlarda grafiğini çıkarması, diyotları iletime geçirir ve ters voltajlı sızıntıları da ortaya çıkarması nedeniyle arıza bulmada çok büyük avantaj sağlar.

Dezavantajları: Genelde VI Test cihazlarında malzemelerin değerlerinin ölçümü özelliği yoktur. Pek çok modelde osiloskop özelliği yoktur. Gerek duyulduğunda osiloskop veya multimetre de ayrıca bulunması gerekir. Katot tüplü olan VI Test cihazları büyük ve ağır olduğu için kolay taşınabilir değildir. Özellikle gezici servislerde taşıma sorunu oluşturur.